Memristor reemplazará a Flash y DDR como memoria de almacenamiento, según HP

La tecnología de memoria en la que llevan trabajando ingenieros de la compañía HP aparecería inicialmente en forma de unidades SSD para reemplazar a las memorias Flash, y posteriormente lo haría con los módulos DDR.

Los ingenieros de HP llevan trabajando durante años sobre esta nueva tecnología de memoria Memristor, alternativa a las actuales de tipo Flash, la cual podría aparecer en menos de año y medio en forma de discos SSD. Como ya hemos mencionado en alguna ocasión, este tipo de memoria también es denominada ReRAM, y es de tipo no volátil, con lo que los dispositivos pueden conservar sus datos incluso después de desconectar la corriente eléctrica. Esta es la principal diferencia frente a las actuales memorias DRAM, donde los datos almacenados se pierden cuando se interrumpe la corriente eléctrica, con la necesidad de volver a ser cargados cuando se inicia el equipo de nuevo.

Según destaca Stan Williams, socio senior en HP, “nos encontramos en la era post DRAM, y pensamos que ha llegado el momento de la transición”. Del mismo modo, destaca que la tecnología Memristor permitirá la disposición de diferentes capas de memoria directamente en la parte superior del procesador, lo que permitiría mejorar en 20 años la Ley de Moore.

Según lo indicado por Williams, Flash no será la única tecnología que podría ser reemplazada por Memristor, ya que para 2015 llegarían los módulos que reemplazarían a la actual DRAM, con capacidad de mantener los datos almacenados en las memorias aunque la corriente esté desconectada. Esto va a permitir mejorar el consumo de energía de los componentes cuando se trate de dispositivos móviles o portátiles, sin requerir de alimentación ni cuando los equipos se encuentren en estado de baja latencia o hibernación.

HP ha diseñado dispositivos de muestra que permitirían inicialmente alcanzar capacidades de 12 GB por centímetros cuadrado. Para su fabricación, se están utilizando procesos de producción de 15 nanómetros, con diseño de diferentes niveles para poder apilar hasta cuatro capas de células de memoria diferente.

 Fuente

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