Y un poco de tecnología: IBM ha desarrollado un dispositivo de memoria dinámica

 La memoria dinámica sobre chip permite mejor velocidad, ahorros de energía y confiabilidad para aplicaciones empresariales, móviles, de consumo y juegos.

Diario Ti: IBM desarrolló con éxito un prototipo del dispositivo de memoria dinámica sobre un chip pequeño, denso y veloz en tecnología de silicio sobre aislante (SOI, por su nombre en inglés) de 32 nanómetros, de próxima generación, capaz de ofrecer mejor velocidad, ahorros de energía y confiabilidad para productos que abarcan de servidores a electrónica de consumo.

La tecnología SOI de IBM es capaz de proporcionar hasta un 30% de mejora en el rendimiento del chip y 40% de reducción de energía, en comparación con la tecnología estándar de silicio a granel. SOI protege los transistores del chip con un “manto” de aislamiento que reduce la pérdida eléctrica, y así ahorra energía y permite que la corriente fluya por el circuito con mayor eficiencia, lo cual mejora el rendimiento.

IBM fabricó un chip de prueba con una tecnología de memoria de acceso aleatorio dinámica incorporada (eDRAM) que posee la celda de memoria más pequeña de la industria, y ofrece densidad, velocidad y capacidad mejor que la memoria de acceso aleatorio estática (SRAM) sobre chip convencional anunciada en tecnología de 32nm y 22nm, y comparable con lo que se esperaría de una SRAM producida en tecnología de 15 nanómetros: tres generaciones de tecnología por delante de chips en producción en serie en este momento.

 IBM tiene intenciones de llevar los beneficios de su tecnología SOI de 32-nanometros a una amplia gama de clientes de circuitos integrados para aplicaciones específicas (ASIC) y de fundición, y utilizará la tecnología en chips para sus servidores. “Estamos poniendo esta oferta de 32nm a disposición de los clientes que están dispuestos a beneficiarse del rendimiento significativo y las ventajas energéticas de esta séptima generación de tecnología SOI de IBM”, comenta Gary Patton, vicepresidente del Centro de Investigación y Desarrollo de Semiconductores de IBM”.

 Los ingenieros de IBM prevén describir los atributos de la eDRAM de 32nm y 22nm en la Reunión Internacional de Dispositivos Electrónicos, en diciembre. 

 Fuente

Da gusto vivir en esta época de constantes avances tecnológicos!

 saludos ms, 8-10-2009